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参数资料
| 型号： | MBR120ESFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL |
| 产品目录绘图： | SOD-123FL, SOD-123 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 530mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | SOD-123L |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR120ESFT1GOSDKR |
    MBR120ESF, NRVB120ESF http://onsemi.com 4 C, CAPACITANCE (pF) Figure 7. Capacitance 12 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 1000 100 10 2.0 4.0 8.0 106.0 TJ = 25 °C 20 18 16 14 Figure 8. Typical Operating Temperature Derating* * Reverse power dissipation and the possibility of thermal runaway must be considered when operating this device under any re- verse voltage conditions. Calculations of TJ therefore must include forward and reverse power effects. The allowable operating TJ may be calculated from the equation: T J = T Jmax ? r(t)(Pf + Pr) where r(t) = thermal impedance under given conditions, Pf = forward power dissipation, and Pr = reverse power dissipation This graph displays the derated allowable TJ due to reverse bias under DC conditions only and is calculated as T J = T Jmax ? r(t)Pr, where r(t) = Rthja. For other power applications further calculations must be performed. T J , DERATED OPERATING TEMPERATURE ( ° C) 2.0 4.0 8.0 10 2012 14 16 18 0 VR, DC REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 155 145 6.0 135 137 139 141 143 147 149 151 153 RJA = 25.6 °C/W 400°C/W 324.9°C/W 235°C/W 130°C/W r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE Figure 9. Thermal Response 1000 0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.1 0.000001 0.00001 t1, TIME (sec) 1000 1 0.1 10 100 P(pk) t1 t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 JA = 321.8 °C/W Test Type > Min Pad < Die Size 38x38 @ 75% mils D = 0.5 SINGLE PULSE 0.2 0.1 0.05 0.01 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAP226M035CRS | CAP TANT 22UF 35V 20% RADIAL |
| P51-75-A-U-MD-5V-000-000 | SENSOR 75PSI 7/16-20-2B 1-5V |
| P51-50-A-U-MD-5V-000-000 | SENSOR 50PSI 7/16-20-2B 1-5V |
| P51-15-A-U-MD-5V-000-000 | SENSOR 15PSI 7/16-20-2B 1-5V |
| TLCR476M006XTA | CAP TANT 47UF 6.3V 20% 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR120ESFT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MBR Series 1 A 20 V Surface Mount Schottky Power Rectifier - SOD-123FL |
| MBR120ESFT3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR120ESFT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR120LSFT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR120LSFT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier |
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