- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录65 > 1PS181,115 (NXP Semiconductors)DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC-59 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 1PS181,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1996 Sep 03 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode 1PS181
GRAPHICAL DATA
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient temperature.
0
0 200100
T ( C)amb
o
300
100
200
MBD033
I
F
(mA)
single diode loaded
double diode loaded
(1) Tj
= 150
°C; typical values.
(2) Tj
= 25
°C; typical values.
(3) Tj
= 25
°C; maximum values.
Fig.3 Forward current as a function of
forward voltage.
handbook, halfpage300
0
021
VF
(V)
IF
(mA)
100
200
MBG382
(1) (3)(2)
Fig.4 Reverse current as a function of
junction temperature.
2handbook, halfpage10
10
200
0
MBG380
100
Tj
(
oC)
IR
(μA)
1
10
2
10
1
(1) (2)
(3)
(1) VR
= 80 V; maximum values.
(2) VR
= 80 V; typical values.
(3) VR
= 25 V; typical values.
Fig.5 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°C.
handbook, halfpage2.5
Cd
0255
10 15 20
VR
(V)
0
0.5
MBH191
1.0
1.5
2.0
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PS184,115 | DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC-59 |
| 1PS226,115 | DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC59 |
| 1PS300,115 | DIODE 80V 170MA HI-SPEED SC70 |
| 1PS301,115 | DIODE 80V 160MA HI-SPEED SC70 |
| 1SS356TW11 | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS184 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:High-Speed Double Diode |
| 1PS184 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS184 T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS184,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS184,135 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。