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参数资料
| 型号： | 1PS181,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1996 Sep 03 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode 1PS181
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C; unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
610
?
mV
IF
=
10
mA
740
?
mV
IF
=
50
mA
?
1.0
V
IF
=
100
mA
?
1.2
V
IR
reverse current
see
Fig.4
VR
=
25
V
?
30
nA
VR
=
80
V
?
0.5
μA
VR
=
25
V; Tj
=
150
°C
?
30
μA
VR
=
80
V; Tj
=
150
°C
?
100
μA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.5
?
2.0
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
Ω; measured
at IR
=
1
mA; see
Fig.6
?
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA;
tr
=
20
ns; see
Fig.7
?
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
250
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PS184,115 | DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC-59 |
| 1PS226,115 | DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC59 |
| 1PS300,115 | DIODE 80V 170MA HI-SPEED SC70 |
| 1PS301,115 | DIODE 80V 160MA HI-SPEED SC70 |
| 1SS356TW11 | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS184 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:High-Speed Double Diode |
| 1PS184 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS184 T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS184,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS184,135 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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