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参数资料
| 型号： | VVZ24-12IO1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RECT BRIDGE 3PH 27A 1200V KAMM |
| 标准包装： | 5 |
| 结构： | 电桥，3 相 - SCR/二极管 |
| SCR 数目，二极管： | 3 SCRs，3 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 1200V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 65mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 21A |
| 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）： | 16A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 300A，320A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 100mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | KAMM |
| 包装： | 散装 |
VVZ 24
Symbol
Conditions
Characteristic Values
I R , I D
V F , V T
V R = V RRM ; V D = V DRM
I F , I T = 30 A, T VJ = 25 ° C
T VJ = T VJM
T VJ = 25 ° C
≤
≤
≤
5
0.3
1.45
mA
mA
V
V T0
r T
For power-loss calculations only
(T VJ = 125 ° C)
1 V
16 m Ω
V GT
I GT
V D = 6 V;
V D = 6 V;
T VJ
T VJ
T VJ
T VJ
T VJ
= 25 ° C
= -40 ° C
= 25 ° C
= -40 ° C
= 125 ° C
≤
≤
≤
≤
≤
1.0
1.2
65
80
50
V
V
mA
mA
mA
V GD
I GD
I L
T VJ = T VJM ;
T VJ = T VJM ;
I G = 0.3 A; t G = 30 μ s
di G /dt = 0.3 A/ μ s
V D = 2/3 V DRM
V D = 2/3 V DRM
T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
T VJ = 125 ° C
≤
≤
≤
≤
≤
0.2
5
150
200
100
V
mA
mA
mA
mA
I H
t gd
T VJ = 25 ° C; V D = 6 V; R GK = ∞
T VJ = 25 ° C; V D = 1/2 V DRM
I G = 0.3 A; di G /dt = 0.3 A/ μ s
≤
≤
100
2
mA
μ s
t q
Q r
T VJ = 125 ° C; I T = 15 A, t p = 300 μ s, -di/dt = 10 A/ μ s
V R = 100 V, dv/dt = 20 V/ μ s, V D = 2/3 V DRM
typ. 150
75
μ s
μ C
R thJC
R thJH
per
per
per
per
thyristor (diode); DC current
module
thyristor (diode); DC current
module
2.1
0.35
2.7
0.45
K/W
K/W
K/W
K/W
d S
d A
a
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
7 mm
7 mm
50 m/s 2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110113d
2-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VHFD37-12IO1 | RECT BRIDGE 1PH 1200V V1A-PAK |
| 5412-36-0 | SMD GRABBER/.025 SQ. PIN 36" BLK |
| 5412-24-2 | SMD GRABBER/.025 SQ. PIN 24" RED |
| MCD72-12IO8B | MOD THYRISTOR/DIO 1200V TO-240AA |
| MCD95-12IO8B | MOD THYRISTOR/DIO 1200V TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VVZ24-14GO1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.4KV V(RRM)|24A I(T) |
| VVZ24-14io1 | 功能描述:SCR模块 24 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VVZ24-16GO1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.6KV V(RRM)|24A I(T) |
| VVZ24-16io1 | 功能描述:SCR模块 24 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VVZ39-08ho7 | 功能描述:SCR模块 39 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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