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参数资料
| 型号： | MPSA64J18Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 881K |
| 代理商： | MPSA64J18Z |
MPSA64
/
MMBT
A64
/
PZT
A64
Typical Characteristics (continued)
PNP Darlington Transistor
(continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
REVERSE VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
A
N
C
E
(
p
F)
C
f = 1.0 MHz
ib
C ob
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
TO-92
SOT-23
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(
O
N)
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(n
A
)
A
CBO
°
V
= 15V
CB
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MPSA64RLRM | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA64RLRMG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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