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参数资料
| 型号： | MPSA06ZL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 28/36页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MPSA06ZL1 |
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Reliability and Quality Assurance
9–20
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
UCL
LCL
UCL
LCL
CENTERLINE
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
ZONE A (+ 3 SIGMA)
ZONE B (+ 2 SIGMA)
ZONE C (+ 1 SIGMA)
ZONE C (– 1 SIGMA)
ZONE B (– 2 SIGMA)
ZONE A (– 3 SIGMA)
Figure 5. Control Chart Zones
Figure 6. One Point Outside Control Limit
Indicating Excessive Variability
Figure 7. Two Out of Three Points in Zone A or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 8. Four Out of Five Points in Zone B or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 9. Seven Out of Eight Points in Zone C or
Beyond Indicating Excessive Variability
SUMMARY
Motorola is committed to the use of STATISTICAL
PROCESS CONTROLS. These principles, used throughout
manufacturing have already resulted in many significant
improvements to the processes. Continued dedication to the
SPC culture will allow Motorola to reach the Six Sigma and
zero defect capability goals. SPC will further enhance the
commitment to TOTAL CUSTOMER SATISFACTION.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA05RL1 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA55RLRE | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56RL | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA05RLRE | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA55RL | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA09 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 NPN50V .05A .310W EBC |
| MPSA10 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GEN PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA10_D74Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/GPA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA11 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| MPSA113 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR |
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