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参数资料
| 型号： | MPSA05ZL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/36页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MPSA05ZL1 |
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NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
2–620
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
100
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
—
0.25
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on)
—
1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product(3)
(IC = 10 mA, VCE = 2.0 V, f = 100 MHz)
MPSA05
MPSA06
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc, f = 100 MHz)
MPSA55
MPSA56
fT
100
50
—
MHz
3. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURN–ON TIME
–1.0 V
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0
mF
tr = 3.0 ns
0
+10 V
5.0
ms
OUTPUT
TURN–OFF TIME
+VBB
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0
mF
tr = 3.0 ns
5.0
ms
* Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors
For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA06ZL1 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA05RL1 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA55RLRE | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56RL | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA05RLRE | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA06 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A06 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| MPSA06 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MPSA06,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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