参数资料
型号: 1PS226,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/8页
文件大小: 117K
描述: DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC59
标准包装: 15,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500nA @ 80V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 80V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SMT3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 1PS226 T/R
1PS226 T/R-ND
934028450115
1996 Sep 03 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode 1PS226
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C; unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
610
?
mV
IF
=
10
mA
740
?
mV
IF
=
50
mA
?
1.0
V
IF
=
100
mA
?
1.2
V
IR
reverse current
see
Fig.4
VR
=
25
V
?
30
nA
VR
=
80
V
?
0.5
μA
VR
=
25
V; Tj
=
150
°C
?
30
μA
VR
=
80
V; Tj
=
150
°C
?
100
μA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.5
?
1.5
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
Ω; measured
at IR
=
1
mA; see
Fig.6
?
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA;
tr
=
20
ns; see
Fig.7
?
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
250
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
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