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参数资料
| 型号： | 1N5400-T |
| 厂商： | Diodes/Zetex |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 57K |
| 描述： | RECTIFIER GPP 50V 3A DO-201AD |
| 其它图纸： | 1N540x(G)-T Side |
| 标准包装： | 1,200 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 50pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DS28007 Rev. 7 - 2 2 of 3 1N5400-1N5408
www.diodes.com
0
1.0
2.0
3.0
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
I , AVERAGE F
O
RWARD CURRENT (A)
(AV)
4.0
25 50 75 100 125 150 175 200
0.2
1.0
10
100
200
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
3.2
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig.2 Typical Forward Characteristics
T = 25oCj
1.0
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current
10
100
200
T = 25°Cj
Pulse width = 8.3ms
I , PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)
FSM
1.0
10
100
1.0 10 100
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig.4 Typical Total Capacitance
f=1MHz
T = 25oCj
1N5400 - 1N5405
1N5406 - 1N5408
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-1212SRW/H4/A/M | CONV DC/DC 3W 9-18VIN 12VOUT |
| P51-1500-S-J-D-4.5V-000-000 | SENSOR 1500PSI 3/8-24 UNF 4.5V |
| P51-300-A-Y-M12-20MA-000-000 | SENSOR 300PSI 7/16-20-2B 4-20MA |
| GSM03DSEN-S13 | CONN EDGECARD 6POS .156 EXTEND |
| 4920-WHITE-1/2"X72YD-BULK | TAPE VHB ACRYLIC FOAM 1/2"X 72YD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5400-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Standard Recovery Rectifier 50V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5400-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5400TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,250 |
| 1N5400-TB | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5400T-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VRRM=50V, IAV=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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