ZXMN10A08E6TC全国供应商【买卖IC网】ZXMN10A08E6TC资料|PDF Datasheet|价格 Diodes Incorporated

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

ZXMN10A08E6TC
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

ZXMN10A08E6TC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ZXMN10A08E6TC
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
ZETEX
标准封装
15+
-
原装正品，假一罚十

ZXMN10A08E6TC
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
Diodes
SOT-23-6
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

ZXMN10A08E6TC
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50000
ZETEX
SOT-23-6
1148+
-
全新原装现货

ZXMN10A08E6TC
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10000
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ZXMN10A08E6TC 技术参数

ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 标准包装:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 基本零件编号:ZXMHC10A07T8 标准包装:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-MLP（3x3）标准包装:1 ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TC ZXMN15A27KTC ZXMN2069FTA ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTC ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TC ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA