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ZXMD63P03XTA/ZXMD63P03XTC

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ZXMD63P03XTA/ZXMD63P03XTC 技术参数

ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-MLP（3x3）标准包装:1 ZXLD383ET5TA 功能描述:LED照明驱动器 LED DRIVER ENABLE/RECTIFR INPUT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输入电压:11.5 V to 23 V 工作频率: 最大电源电流:1.7 mA 输出电流: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-16N ZXLD381FHTA 功能描述:LED照明驱动器 SINGLE OR MULTI CELL RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输入电压:11.5 V to 23 V 工作频率: 最大电源电流:1.7 mA 输出电流: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-16N ZXMHC3A01T8TA ZXMHC3F381N8TC ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07T8TA ZXMHN6A07T8TA ZXMN0545FFTA ZXMN0545G4TA ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTC ZXMN10A07ZTA ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TC ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08GTA ZXMN10A09KTC ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTC