NX3008NBKT115

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NX3008NBKT115
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
100
NXP
SOT416
1325
-
全新原装现货

NX3008NBKT115
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3720
NXP
SOT416
2210+
-
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NX3008NBKT115 技术参数

NX3008NBKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 NX3008NBKSH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3008NBKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3008NBKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:530mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1）封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 NX3008NBK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX301101 NX301102 NX301103 NX301104 NX301105 NX301106 NX301107 NX301108 NX301109 NX301110 NX301111 NX301112 NX301113 NX301114 NX301115 NX301116 NX301117 NX301118