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NX155H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NEXSEM
MSOP-10
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

NX155H
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NEXSEM
MSOP
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

NX155H
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36900
TSSOP10
18+
-
优势现货，原装正品

NX155H
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
TSSOP10
18+
-
优势库存，原装现货

NX155H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
81815
NEXSEM
MSOP-10
1521+
-
全新原装现货

NX155H
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
5140
NEXSEM
TSSOP10
10+PB
-
鸿信库存谢绝克隆

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NX155H 技术参数

NX138BKWX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:210mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:266mW（Ta）, 1.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SC-70 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 NX138BKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:210mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:320mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX138BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:265mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX138AKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX138AKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:325mW (Ta) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 190mA, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX1BL-15T-KT3B NX1BL-15T-KT3B(05) NX1BL-15T-KT9B NX1BL-15T-KT9B(05) NX1BL-25T-KT3B NX1BL-25T-KT3B(05) NX1BL-25T-KT9B NX1BL-25T-KT9B(05) NX1BL-32T-KT3B NX1BL-32T-KT3B(05) NX1BL-32T-KT9B NX1BL-32T-KT9B(05) NX1P2-1040DT NX1P2-1040DT1 NX1P2-9024DT NX1P2-9024DT1 NX1W-ADB21 NX1W-CIF01

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