NW19M12WB-122.88M-NSA3435B

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NW19M12WB-122.88M-NSA3435B 技术参数

NVT4556BUKZ 功能描述:SIM Card Interface 12-WLCSP (1.20x1.60) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效应用:SIM 卡接口:I2C 电压 - 电源:1.55 V ~ 3.6 V 封装/外壳:12-XFBGA 供应商器件封装:12-WLCSP（1.20x1.60）安装类型:表面贴装标准包装:1 NVT4556AUKZ 功能描述:SIM Card Interface 12-WLCSP (1.20x1.60) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效应用:SIM 卡接口:I2C 电压 - 电源:1.55 V ~ 3.6 V 封装/外壳:12-XFBGA 供应商器件封装:12-WLCSP（1.20x1.60）安装类型:表面贴装标准包装:1 NVT4555UKZ 功能描述:SIM Card Interface 12-WLCSP (1.20x1.60) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产应用:SIM 卡接口:- 电压 - 电源:1.1 V ~ 3.6 V 封装/外壳:12-UFBGA 供应商器件封装:12-WLCSP（1.20x1.60）安装类型:表面贴装标准包装:1 NVT2010PW,118 功能描述:转换 - 电压电平 +/-50mA 1.5ns 1-5.5V RoHS:否制造商:Micrel 类型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 传播延迟时间:1.9 ns 电源电流:14 mA 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MLF-8 NVT2010BS,118 功能描述:转换 - 电压电平 BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP RoHS:否制造商:Micrel 类型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 传播延迟时间:1.9 ns 电源电流:14 mA 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MLF-8 NWE18DHHN-T911 NWE18DHHN-T921 NWE18DHHN-T931 NWE18DHRN-T941 NWE18DHRN-T9410 NWE18DHRQ-T941 NWE32DHHN-T911 NWE32DHHN-T921 NWE32DHHN-T931 NWE32DHRN-T941 NWE32DHRN-T9410 NWE32DHRQ-T941 NWE-34815-M3 NWE-34815-M4 NWE-34815-M6 NWE49DHHN-T911 NWE49DHHN-T921 NWE49DHHN-T931