NV08C-CSM

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

NV08C-CSM
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
47493
22+
-
原装原厂现货

NV08C-CSM
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
NVS TECHNOLOGIE
con
24+
-
电子元件

NV08C-CSM
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
NVS TECHNOLOGIE
con
24+
-
电子元件

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： NV11G000 NV11G000HF NV11T000 NV11T000HF NV1250T0 NV1250T0C NV1250T0N NV1250T0NC NV1350FF

NV08C-CSM PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NV08C-CSM PDF下载

制造商
NVS TECHNOLOGIES
功能描述
RECEIVER SAT NAVIGATION SMT
制造商
NVS TECHNOLOGIES
功能描述
MOD, GPS / GLONASS / GALILEO, M2M
制造商
NVS TECHNOLOGIES
功能描述
MOD, GPS / GLONASS / GALILEO / COMPASS, LBS, M2M; Supply Voltage Min

NV08C-CSM 技术参数

NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUS3065MUTAG 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel NUS3046MNT1G 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUR460/L03,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.28V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:65ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:NUR460 标准包装:500 NUR460/L02,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.28V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:65ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:500 NV1350FFC NV1350FFN NV1350FFNC NV1350TT NV1350TTC NV1350TTN NV1350TTNC NV1452FF NV1452FFC NV1452FFN NV1452FFNC NV1452TT NV1452TTC NV1452TTN NV1452TTNC NV1453FF NV1453FFC NV1453FFN