NS10165T6R8NNA

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NS10165T6R8NNA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Taiyo Yuden
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

NS10165T6R8NNA
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TAIYO
SMD
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！！

NS10165T6R8NNA
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
605
Taiyo Yuden
正品原装
23+
-
真实的资源竭诚服务您

NS10165T6R8NNA
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
4500
TAIYO YUDEN
2126
-

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功能描述
固定电感器 INDCTR SMD LRG CUR 6.8uH 30%
RoHS
否
制造商
AVX
电感
10 uH
容差
20 %
最大直流电流
1 A
最大直流电阻
0.075 Ohms
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
自谐振频率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
6.6 mm x 4.45 mm

NS10165T6R8NNA 技术参数

NS10165T4R7NNV 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 5.88A 13.44 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:5.88A 电流 - 饱和值:7.7A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:13.44 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:36.8MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.270"（6.85mm）标准包装:1 NS10165T4R7NNA 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 5.88A 13.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:5.88A 电流 - 饱和值:7.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:13.2 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:36.8MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.270"（6.85mm）标准包装:1 NS10165T3R3NNV 功能描述:3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 6.76A 10.32 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±30% 额定电流:6.76A 电流 - 饱和值:9.3A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10.32 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:42MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.270"（6.85mm）标准包装:1 NS10165T3R3NNA 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 6.76A 10.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±30% 额定电流:6.76A 电流 - 饱和值:9.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:10.8 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:42MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.270"（6.85mm）标准包装:1 NS10165T2R2NNV 功能描述:2.2μH Unshielded Wirewound Inductor 7.32A 8.88 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:7.32A 电流 - 饱和值:10.8A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:8.88 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:63MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.398" 宽（10.10mm x 10.10mm）高度 - 安装（最大值）:0.270"（6.85mm）标准包装:1 NS10-TV00B-V2 NS10-TV00-V2 NS10-TV01B-V2 NS10-TV01-V2 NS12555T100MN NS12555T100MNV NS12555T101MN NS12555T101MNV NS12555T102MN NS12555T102MNV NS12555T150MN NS12555T150MNV NS12555T151MN NS12555T151MNV NS12555T152MN NS12555T152MNV NS12555T220MN NS12555T220MNV