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NE57810S/N1518

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NE57810S/N1518
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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NXP
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NE57810S/N1518 技术参数

NE57810S/N1,518 功能描述:静态随机存取存储器 PWR DBL DATA RATE RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray NE57810S/G,518 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR Memory Term Regulator 6-Pin RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L NE57810S,518 功能描述:静态随机存取存储器 DOUBLE DATA RATE TERMINATOR RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray NE570DR2G 功能描述:通信集成电路 - 若干 Dual Gain Compandor Commercial Temp RoHS:否制造商:Maxim Integrated 类型:Transport Devices 封装 / 箱体:TECSBGA-256 数据速率:100 Mbps 电源电压-最大:1.89 V, 3.465 V 电源电压-最小:1.71 V, 3.135 V 电源电流:50 mA, 225 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE570DR2 功能描述:通信集成电路 - 若干 Dual Gain Compandor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 类型:Transport Devices 封装 / 箱体:TECSBGA-256 数据速率:100 Mbps 电源电压-最大:1.89 V, 3.465 V 电源电压-最小:1.71 V, 3.135 V 电源电流:50 mA, 225 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube NE592D14 NE592D14G NE592D14R2 NE592D14R2G NE592D8 NE592D8G NE592D8R2 NE592D8R2G NE592N14 NE592N14G NE592N8 NE592N8G NE6 NE650103M-A NE6510179A-A NE6510179A-EVPW19 NE6510179A-EVPW24 NE6510179A-EVPW26