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NCP590MN5DTAGEVB

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说明
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NCP590MN5DTAGEVB
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

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1

您是不是要找： NCP590MNADR2G NCP590MNDPR2G NCP590MNDPTAG NCP590MNDPTAGEVB NCP590MNDSR2G NCP590MNOAR2G NCP590MNOATAG NCP590MNOATAGEVB NCP590MNPPR2G

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功能描述
电源管理IC开发工具 DEMO 1.2V X 1.8V
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
产品
Evaluation Kits
类型
Battery Management
工具用于评估
MAX17710GB
输入电压
输出电压
1.8 V

NCP590MN5DTAGEVB 技术参数

NCP590MN5DTAG 功能描述:低压差稳压器 - LDO DUAL LDO 1.2V/1.8V RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NCP590MN5ATAG 功能描述:低压差稳压器 - LDO DUAL LDO 1.2V/1.5V RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NCP5901MNTBG 功能描述:功率驱动器IC VR12 MOSFET DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5901EMNTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:VR12 MOSFET DRIVER - Tape and Reel NCP5901DR2G 功能描述:功率驱动器IC VR12 MOSFET DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP590MNPPTAG NCP590MNPPTAGEVB NCP590MNVVTAG NCP5911MNTBG NCP59151DS00GEVB NCP59151DS18R4G NCP59151DS25R4G NCP59151DS28R4G NCP59151DS30R4G NCP59151DS33R4G NCP59151DS50R4G NCP59151MN18TYG NCP59151MN25TYG NCP59151MN28TYG NCP59151MN30TYG NCP59151MN33TYG NCP59151MN50TYG NCP59152DSADGEVB