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N04C1633E3BM-MAS

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N04C1633E3BM-MAS
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
LFBGA
18+
-
全新原装，优势库存

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
Combo Mem 2Mx16 Flash + 256Kx16 SRAM 3.3V 66-Pin FBGA
制造商
ON Semiconductor
功能描述
MCP 32 Mb (2Mb x 16) Boot Sector Flash Memory + 4 Mb (256Kb x 16) Low Power SRAM

N04C1633E3BM-MAS 技术参数

N02L83W2AT25I 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L83W2AN25IT 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L83W2AN25I 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L63W3AT25IT 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L63W3AT25I 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N050X075C1T N050X075C2C N050X075C2T N050X075CBC N050X075CBD N050X075CBT N050X075FJJ N050X100CBT N050X125C1C N050X125C1T N050X125C2C N050X125C2T N050X125CBT N050X125FJJ N050X150C1T N050X150C2T N050X150CBC N050X150CBT