MR756-BP

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说明
操作

MR756-BP
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Micro Commercial Componen
标准封装
23+
-
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功能描述
整流器
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

MR756-BP 技术参数

MR4A16BYS35R 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR4A16BYS35 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR4A16BMA35R 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR4A16BMA35 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR4A16BCYS35R 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR8025E12B6-FSR MR8025E12B-FSR MR8025E24B1+6-FSR MR8025E24B1-FSR MR8025E24B-FSR MR8025H12B1+6-FSR MR8025H12B1-FSR MR8025H12B2-FSR MR8025H12B-FSR MR8025H24B1+6-FSR MR8025H24B1-FSR MR8025H24B2-FSR MR8025H24B-FSR MR8025L12B1+6-FSR MR8025L12B1-FSR MR8025L12B2-FSR MR8025L12B-FSR MR8025L24B1+6-FSR