MMBT2131T1G全国供应商 MMBT2131T1G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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价格
说明
操作

MMBT2131T1G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

MMBT2131T1G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TY/台灣半導体
SOT23-6
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

MMBT2131T1G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
ON
SC-74
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

MMBT2131T1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ON
SOT23-6
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MMBT2131T1G
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3000
原装ON
SOT163
2015+PB
-
原装现货/特价

MMBT2131T1G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

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功能描述
两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MMBT2131T1G 技术参数

MMBD7000-7 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 75V 300mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBD4448W-7 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HW-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HT-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HSDW-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货二极管配置:2 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 MMBT2222A-G MMBT2222AHLT1G MMBT2222AHLT1H MMBT2222AK MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1HTSA1 MMBT2222ALT3G MMBT2222AM3T5G MMBT2222AT MMBT2222AT-7 MMBT2222AT-7-F MMBT2222A-TP MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT3G MMBT2222AT-TP MMBT2222AWT1