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MLP2012H1R0M

配单专家企业名单
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  • MLP2012H1R0MT0S1
    MLP2012H1R0MT0S1

    MLP2012H1R0MT0S1

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 24000

  • TDK/东电化

  • SMD

  • 2020+

  • -
  • 假一赔百原装新货

  • MLP2012H1R0MT0S1
    MLP2012H1R0MT0S1

    MLP2012H1R0MT0S1

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 0

  • TDK

  • con

  • 24+

  • -
  • 电感器

  • MLP2012H1R0MT0S1
    MLP2012H1R0MT0S1

    MLP2012H1R0MT0S1

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10

    资质:营业执照

  • 8116

  • 原厂

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授权分销商,可追溯原厂可含税

  • MLP2012H1R0MT
    MLP2012H1R0MT

    MLP2012H1R0MT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
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MLP2012H1R0M 技术参数
  • MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLP1N06CL 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLP193M7R5EK0A 功能描述:19000μF 7.5V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 76 mOhm 2000 Hrs @ 85°C 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:MLP 包装:散装 零件状态:有效 电容:19000μF 容差:±20% 额定电压:7.5V ESR(等效串联电阻):76 毫欧 不同温度时的使用寿命:85°C 时为 2000 小时 工作温度:-55°C ~ 85°C 极化:- 应用:通用 纹波电流:4.2A 阻抗:- 引线间距:1.000"(25.40mm) 大小/尺寸:1.500" 长 x 1.750" 宽(38.10mm x 44.45mm) 高度 - 安装(最大值):0.500"(12.70mm) 表面贴装焊盘尺寸:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:扁平封装,焊片式 标准包装:1 MLP1608VR47DT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 800mA 286 mOhm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):286 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.030"(0.75mm) 标准包装:1 MLP1608VR47BT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 800mA 260 mOhm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):260 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.030"(0.75mm) 标准包装:1 MLP2012HR54MT0S1 MLP2012R1R0MT0S1 MLP2012S1R0MT0S1 MLP2012S1R0T MLP2012S1R0TT0S1 MLP2012S1R5MT0S1 MLP2012S1R5T MLP2012S1R5TT0S1 MLP2012S2R2MT0S1 MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1
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