MJD122TF全国供应商 MJD122TF资料|PDF Datasheet|价格【Fairchild 飞兆半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

MJD122TF
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
FAIRCHILD
D-PAK
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

MJD122TF
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
20000
FAIRCHILD
2015+
-
公司现货!只做原装!

MJD122TF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
FAIRCHILD
TO252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MJD122TF
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
10000
FSC
Standard
2024+
-
代理商库房现货

MJD122TF
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
FAIRCHILD/仙童
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

MJD122TF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
MJD
原厂原封装
09+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

MJD122TF
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
3276
FSC
N/A
18+
-
进口原装特价出售

MJD122TF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6000
FAIRCHILD
TO252-2
13+
-
原装正品，现货库存

1/2页 40条/页共55条
1 2 下一页

您是不是要找： MJD122-TP MJD127G MJD127T4 MJD127T4G MJD127TF MJD127-TP MJD128T4 MJD128T4G MJD148T4G

MJD122TF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MJD122TF PDF下载

功能描述
达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—基极电压 VCBO
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
封装
Reel

MJD122TF 技术参数

MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:75 MJD117T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD112T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJB44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 MJD18002D2T4G MJD200 MJD200G MJD200RLG MJD200T4 MJD200T4G MJD200T5G MJD210 MJD210G MJD210RL MJD210RLG MJD210T4 MJD210T4G MJD210TF MJD243 MJD243G MJD243T4 MJD243T4G