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MGFL2012F2R2MT-LF
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
49
MICROGATE
con
24+
-
电感器

MGFL2012F2R2MT-LF
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
2000
MICROGATE
con
24+
-
国产代理品牌价格交期有优势欢迎询价

MGFL2012F2R2MT-LF
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
49
MICROGATE
con
24+
-
电感器

MGFL2012F2R2MT-LF
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
2820
麦捷科技
0805
20+
-
瑞智芯只做原装

MGFL2012F2R2MT-LF
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
2000
MICROGATE
con
24+
-
国产代理品牌价格交期有优势欢迎询价

MGFL2012F2R2MT-LF
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
2850
麦捷科技
20
-
瑞智芯只有原装

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MGFL2012F2R2MT-LF 技术参数

MGDU5-00025 功能描述:1mH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 1.8 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:560mA 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.8 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.291"（7.40mm）标准包装:1 MGDU5-00018 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 850 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:820mA 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.291"（7.40mm）标准包装:1 MGDU5-00014 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 190 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:190 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.291"（7.40mm）标准包装:1 MGDU5-00012 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 86 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:4.5A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:86 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.291"（7.40mm）标准包装:1 MGDU5-00008 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 4.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:4.3A 电流 - 饱和值:10A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:31 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.291"（7.40mm）标准包装:1 MGFS152405-G MGFS152405-R MGFS152412 MGFS152412-R MGFS152415 MGFS152415-R MGFS15243R3 MGFS15243R3-R MGFS154805 MGFS154805-R MGFS154812 MGFS154812-R MGFS154815 MGFS154815-R MGFS15483R3 MGFS15483R3-R MGFS1R52405 MGFS1R52412

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