MCH6336-P-TL-E

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说明
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MCH6336-P-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SOT-363
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MCH6336-P-TL-E
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1616
SANYO
SOT-363
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

MCH6336-P-TL-E
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
3500
SANYO
SOT23-6
2010+
-
原装无铅

MCH6336-P-TL-E
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4557
SANYO
SOT-363
2201+
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

MCH6336-P-TL-E 技术参数

MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:450MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式），逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.8nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD（5引线），扁引线供应商器件封装:5-MCPH 标准包装:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线供应商器件封装:4-MCPH 标准包装:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:1 MCH6342-TL-H MCH6342-TL-W MCH6344-TL-H MCH6344-TL-W MCH6351-TL-W MCH6353-TL-W MCH6412-TL-E MCH6421-TL-E MCH6421-TL-W MCH6429-TL-E MCH6431-P-TL-H MCH6431-TL-H MCH6431-TL-W MCH6436-TL-E MCH6436-TL-W MCH6437-P-TL-E MCH6437-TL-E MCH6437-TL-W