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说明
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MCH4008-TL-E
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
SANYO SEMICONDUCTOR CORPO
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

MCH4008-TL-E
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
SANYO/三洋
SOT-343
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

MCH4008-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SOT-343
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MCH4008-TL-E
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
2998
SANYO
SOT-343
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

MCH4008-TL-E
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
2998
SANYO
SOT-343
05+ROHS
-
原装现货/特价

MCH4008-TL-E
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
13737
SONY
SOT23 4
06+PBF
-
只做自己货价格优势

MCH4008-TL-E
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4114
SANYO
SOT-343
2210+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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MCH4008 技术参数

MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:890 毫欧 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷电容器 Y5V（F） 0603（1608 公制） 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电容:0.047μF 容差:-20%，+80% 电压 - 额定:50V 温度系数:Y5V（F）安装类型:表面贴装，MLCC 工作温度:-30°C ~ 85°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:0603（1608 公制）大小/尺寸:0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.035"（0.90mm）厚度（最大值）:- 引线间距:- 特性:- 引线形式:- 标准包装:10 MCH4021-TL-E MCH5541-TL-E MCH5837-TL-E MCH5839-TL-H MCH5839-TL-W MCH5908G-TL-E MCH5908H-TL-E MCH6001-TL-E MCH6101-TL-E MCH6102-TL-E MCH6103-TL-E MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E

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