MBR30100,MBR30150,MBR30200

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MBR30100,MBR30150,MBR30200 技术参数

MBR30035CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:300A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 150A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 35V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR30035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 150A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:8mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR2X120A045 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 240A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:240A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MBR2X100A180 功能描述:DIODE SCHOTTKY 180V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:920mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 180V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MBR2X080A100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:160A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:840mV @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MBR30100CT-LJ MBR30100CTP MBR30100CTU MBR30100FCTE3/TU MBR30100PT C0G MBR30100PTHC0G MBR30100WT MBR30120CT MBR30150CT MBR30150CT C0G MBR30150CTE3/TU MBR30150CTHC0G MBR30150CTL MBR30150FCTE3/TU MBR30150PT C0G MBR30150PTHC0G MBR30150WT MBR30200CT