MBR120VLSFT3G全国供应商 MBR120VLSFT3G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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说明
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MBR120VLSFT3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

MBR120VLSFT3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ONS
SOD-123
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

MBR120VLSFT3G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
SOD-123
18+
-
全新原装，优势库存

MBR120VLSFT3G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
5256
ON Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

MBR120VLSFT3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
172260
ON SEMICO
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

MBR120VLSFT3G
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
ON
22+
-
原装正品

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功能描述
肖特基二极管与整流器 1A 20V
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
最大浪涌电流
配置
Crossover Quad
恢复时间
正向电压下降
370 mV
最大反向漏泄电流
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Reel

MBR120VLSFT3G 技术参数

MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR130T3 MBR130T3G MBR140ESFT1G MBR140ESFT3G MBR140HWTR MBR140SFT1 MBR140SFT1G MBR140SFT3 MBR140SFT3G MBR150 MBR150G MBR150RL MBR150RLG MBR15100CT C0G MBR15100CT-E1 MBR15100CTF-E1 MBR15100CTF-G1 MBR15100CT-G1

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