MB85RS64APNF-G-JNE1

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MB85RS64APNF-G-JNE1
深圳市品业电子有限公司
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联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
54528
FUJ
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MB85RS64APNF-G-JNE1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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FUJITSU
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制造商
FUJITSU
功能描述
FRAM 64K SPI 3V 8SOP
制造商
FUJITSU
功能描述
FRAM, 64K, SPI, 3V, 8SOP

MB85RS64APNF-G-JNE1 技术参数

MB85RS512TPNF-G-JNERE1 功能描述:IC FRAM 512KBIT 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:FRAM（Ferroelectric RAM）存储容量:512K（64K x 8）速度:30MHz 接口:SPI 串行电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 MB85RS2MTPH-G-JNE1 制造商:FUJITSU 功能描述:IC FRAM 2MBIT SPI 8DIP MB85RS2MTPF-G-JNERE2 制造商:FUJITSU 功能描述:IC FRAM 2MBIT SPI 8SOP MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 功能描述:2MBIT FRAM WITH SPI SERIAL INTER 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM）存储容量:2Mb （256K x 8）时钟频率:40MHz 写周期时间 - 字，页:- 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 MB85RS2MTAPH-G-JNE2 功能描述:2MBIT FRAM WITH SPI SERIAL INTER 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM）存储容量:2Mb （256K x 8）时钟频率:40MHz 写周期时间 - 字，页:- 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-DIP 标准包装:500 MB86613SPMC-G-BNDE1 MB86614APBT-GE1 MB86614APFV-G-BNDE1 MB86619BPFF-G-BNDE1 MB86-BP MB86L12A-RFSS-P1US1 MB86R01PB-GSE1 MB87 MB88 MB88121CPMC1-GE1 MB88121CPMC1-GS-ERE2 MB88121CPMC1-GS-N2E2 MB88151APNF-G-100-JNEFE1 MB88151APNF-G-100-JNERE1 MB88151APNF-G-101-JNEFE1 MB88151APNF-G-101-JNERE1 MB88151APNF-G-200-JNEFE1 MB88151APNF-G-200-JNERE1