JANTXV2N5109

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JANTXV2N5109
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2220
MICROSEMI CORPORATION
原厂原装
24+
-
授权代理商

JANTXV2N5109
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

JANTXV2N5109
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

JANTXV2N5109
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
32
Semicoa Semiconductors
n+
-
只做原装

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 20V 0.4A 3PIN TO-39 - Bulk

JANTXV2N5109 技术参数

JANTXV2N5038 功能描述:TRANS NPN 90V 20A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/439 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 1.2A，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2A，5V 功率 - 最大值:140W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-3 标准包装:1 JANTXV2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/535 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JANTXV2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/535 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JANTXV2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/534 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JANTXV2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTXV2N5237S JANTXV2N5238 JANTXV2N5238S JANTXV2N5339 JANTXV2N5339U3 JANTXV2N5415 JANTXV2N5415S JANTXV2N5416 JANTXV2N5416S JANTXV2N5416U4 JANTXV2N5416UA JANTXV2N5581 JANTXV2N5582 JANTXV2N5662 JANTXV2N5663 JANTXV2N5664 JANTXV2N5665 JANTXV2N5666