JANTX2N4150全国供应商【买卖IC网】JANTX2N4150资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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型号
供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

JANTX2N4150
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
208
MICROSEMI
2014+
-
公司现货!只做原装!

JANTX2N4150
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NES
金属帽
9814
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

JANTX2N4150
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
6800
MSC
N/A
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

JANTX2N4150
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-205AA
23+
-
微芯专营优势产品

JANTX2N4150P
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NES
9728
-
假一罚十，百分百原装正品

JANTX2N4150
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7844
CAN3
15+
-
绝对公司原装现货

JANTX2N4150
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

JANTX2N4150
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 70V 10A 3-Pin TO-5
制造商
Aeroflex / Metelics
功能描述
NPN POWER TRANSISTOR - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk

JANTX2N4150 技术参数

JANTX2N4093UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 20V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:80 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTX2N4092UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 15mA @ 20V 360mW Surface Mount 4-SMD 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:15mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，无引线供应商器件封装:4-SMD 标准包装:1 JANTX2N4092 功能描述:JFET N-Channel 40V 15mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:15mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 JANTX2N4091 功能描述:JFET N-Channel 40V 30mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:30 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 JANTX2N4033UB 功能描述:TRANS PNP 80V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/512 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-39（TO-205AD）标准包装:1 JANTX2N4399 JANTX2N4405 JANTX2N4416AUB JANTX2N4449 JANTX2N4854 JANTX2N4854U JANTX2N4856UB JANTX2N4857 JANTX2N4857UB JANTX2N4859 JANTX2N4931 JANTX2N4957 JANTX2N4957UB JANTX2N5002 JANTX2N5003 JANTX2N5004 JANTX2N5038 JANTX2N5039

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