JANS2N2905AL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JANS2N2905AL
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-205AA
23+
-
微芯专营优势产品

JANS2N2905AL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-

JANS2N2905AL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

JANS2N2905AL
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
1180
MOT
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-5
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
PNP TRANSISTOR, TO-5, LAW - Waffle Pack
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
PNP TRANSISTOR, TO-5, LAW - Rail/Tube

JANS2N2905AL 技术参数

JANS2N2369AUB 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/317 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANS2N2222A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/255 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18（TO-206AA）标准包装:1 JANS1N943BUR-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N941B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N938BUR-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/156 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS2N3499L JANS2N3499L/TR JANS2N3500 JANS2N3501 JANS2N3634UB JANS2N3637 JANS2N3637UB JANS2N3700 JANS2N3763 JANS2N3867 JANS2N4150 JANS2N5004 JANS2N5339U3 JANS2N5415 JANS2N5415UA JANS2N5416 JANS2N5416U4 JANS2N5416UA