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JAN1N823

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  • JAN1N823-1
    JAN1N823-1

    JAN1N823-1

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N823
    JAN1N823

    JAN1N823

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 2

  • MSC

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • JAN1N823
    JAN1N823

    JAN1N823

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • JAN1N823
    JAN1N823

    JAN1N823

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • CEL

  • 原厂封装

  • 最新

  • -
  • JAN1N823-1
    JAN1N823-1

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 制造商
  • undefined
  • 功能描述
JAN1N823 技术参数
  • JAN1N821UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/159 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N821-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/159 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 JAN1N759DUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N759D-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N759CUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N914UR JAN1N935B-1 JAN1N937B-1 JAN1N937BUR-1 JAN1N938B-1 JAN1N941B-1 JAN1N943B-1 JAN1N944B-1 JAN1N945B-1 JAN1N962B-1 JAN1N962BUR-1 JAN1N962C-1 JAN1N962CUR-1 JAN1N962D-1 JAN1N962DUR-1 JAN1N963B-1 JAN1N963BUR-1 JAN1N963C-1
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