JAN1N6161A全国供应商【买卖IC网】JAN1N6161A资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

JAN1N6161A
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

JAN1N6161A
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
100
Microsemi HI-REL [MIL]
2016+
-
公司现货！只做原装！

JAN1N6161A
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5800
SEMTECH（美国）
T MET BI 1500W
1708+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

JAN1N6161A
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
G
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N6161A
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

JAN1N6161A
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新原装货电话010-62104931...

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 47.1V 1.5KW 2-Pin Case G
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS SGL BI-DIR 47.1V 1.5KW 2PIN G - Bulk

JAN1N6161A 技术参数

JAN1N6161 功能描述:TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:47.1V 电压 - 击穿（最小值）:55.96V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:89.57V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:16.72A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6160US 功能描述:TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:42.6V 电压 - 击穿（最小值）:50.54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:80.85V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.53A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6160AUS 功能描述:TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:42.6V 电压 - 击穿（最小值）:53.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6160A 功能描述:TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:42.6V 电压 - 击穿（最小值）:53.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6160 功能描述:TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:42.6V 电压 - 击穿（最小值）:50.54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:80.85V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.53A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6163US JAN1N6164 JAN1N6164A JAN1N6164AUS JAN1N6164US JAN1N6165 JAN1N6165A JAN1N6165AUS JAN1N6165US JAN1N6166 JAN1N6166A JAN1N6166AUS JAN1N6166US JAN1N6167 JAN1N6167A JAN1N6167AUS JAN1N6167US JAN1N6168