JAN1N5819UR-1全国供应商【买卖IC网】JAN1N5819UR-1资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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说明
操作

JAN1N5819UR-1
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
DO-213AB
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N5819UR-1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
55291
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

JAN1N5819UR-1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

JAN1N5819UR-1
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
4228
MS
N/A
18+
-
进口原装特价出售

JAN1N5819UR-1
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2067
Microchip Technology Inc
n+
-
只做原装

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB
制造商
Aeroflex / Metelics
功能描述
SCHOTTKY RECTIFIER - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SCHOTTKY RECTIFIER (SCH) - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB

JAN1N5819UR-1 技术参数

JAN1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/586 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JAN1N5816 功能描述:Diode Standard 150V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/478 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 10V，1MHz 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA（DO-4）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5814 功能描述:Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 10V，1MHz 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA（DO-4）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5811US 功能描述:Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5811URS 功能描述:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N6047A JAN1N6051A JAN1N6052A JAN1N6053A JAN1N6055A JAN1N6057A JAN1N6061A JAN1N6069A JAN1N6072A JAN1N6073 JAN1N6074 JAN1N6075 JAN1N6076 JAN1N6077 JAN1N6078 JAN1N6081 JAN1N6100 JAN1N6101