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JAN1N5711-1

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    JAN1N5711-1

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

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  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N5711-1
    JAN1N5711-1

    JAN1N5711-1

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 13

  • Microsemi HI-REL [MIL]

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • JAN1N5711-1
    JAN1N5711-1

    JAN1N5711-1

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主营优势

  • 19+

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  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • JAN1N5711-1
    JAN1N5711-1

    JAN1N5711-1

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3123

  • MICROSEMI

  • DO35

  • 2234+

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Schottky 70V 0.033A 2-Pin DO-35
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SCHOTTKY 70V 0.033A 2PIN DO-35 - Bulk
JAN1N5711-1 技术参数
  • JAN1N5660A 功能描述:TVS DIODE 111VWM 179VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):111V 电压 - 击穿(最小值):124V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:179V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5655A 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):70.1V 电压 - 击穿(最小值):77.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):13.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5653A 功能描述:TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):58.1V 电压 - 击穿(最小值):64.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:92V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):16.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5652A 功能描述:TVS DIODE 53VWM 85VC DO-13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):53V 电压 - 击穿(最小值):58.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:85V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):17.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5651A 功能描述:TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):47.8V 电压 - 击穿(最小值):53.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:77V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5806URS JAN1N5806US JAN1N5807 JAN1N5807URS JAN1N5807US JAN1N5809 JAN1N5809URS JAN1N5809US JAN1N5811 JAN1N5811URS JAN1N5811US JAN1N5814 JAN1N5816 JAN1N5819-1 JAN1N5819UR-1 JAN1N5819UR-1/TR JAN1N5822 JAN1N5907
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