JAN1N5614US全国供应商【买卖IC网】JAN1N5614US资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

配单专家企业名单

型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JAN1N5614US
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N5614US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
13795
MICROSEMI
2006
-
公司现货!只做原装!

JAN1N5614US
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
853240
MICROSEMI
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

JAN1N5614US
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
55284
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

JAN1N5614US
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

JAN1N5614US
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SWITCHING 200V 1A 2-PIN A-MELF

JAN1N5614US 技术参数

JAN1N5614 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5612 功能描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:49V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JAN1N5611 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JAN1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JAN1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:175V 电压 - 击穿（最小值）:191V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621 JAN1N5621US JAN1N5622 JAN1N5622US JAN1N5623 JAN1N5623US JAN1N5629A JAN1N5632A JAN1N5635A JAN1N5637A JAN1N5639A JAN1N5640A JAN1N5642A JAN1N5644A