JAN1N5552全国供应商【买卖IC网】JAN1N5552资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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批号
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说明
操作

JAN1N5552
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
DIODES
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

JAN1N5552
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
486
MSC
-
公司现货,只做原装！

JAN1N5552
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
B
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N5552
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5800
SEMTECH（美国）
D MET 3A STD 600V
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

JAN1N5552US
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MICROSEMI
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

JAN1N5552
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
20000
MICROSEMI
B-Pkg
15+
-
原装正品，价格优势！

JAN1N5552
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
39
SEM
N/A
18+
-
进口原装特价出售

JAN1N5552
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
1429
-
100%原装正品★终端免费供样★

JAN1N5552
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
486
MSC
-
公司现货,只做原装！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case E
制造商
Semtech Corporation
功能描述
Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case G-4
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case E

JAN1N5552 技术参数

JAN1N5551US 功能描述:Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/420 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5551 功能描述:Diode Standard 400V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/420 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5550US 功能描述:Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/420 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5550 功能描述:Diode Standard 200V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/420 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5546DUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:* 标准包装:1 JAN1N5611 JAN1N5612 JAN1N5614 JAN1N5614US JAN1N5615 JAN1N5615US JAN1N5616 JAN1N5616/TR JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621