IXFT30N60Q

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IXFT30N60Q
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
IXYS
TO-268(D3)
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

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功能描述
MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

IXFT30N60Q 技术参数

IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 电信系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 标准包装:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXF611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXF611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXF102A 功能描述:HEADLIGHT LED 5/50LM AA(1) 制造商:icon 系列:Irix?? II 零件状态:过期类型:前大灯灯类型:LED 灯输出:5，50 流明特性:可调频段，包括电池，多种模式，耐候性电池尺寸:AA（需要 1 个）长度:- 材料 - 本体:聚合物标准包装:10 IXFT40N30Q TR IXFT40N50Q IXFT40N85XHV IXFT42N50P2 IXFT44N50P IXFT44N50Q3 IXFT4N100Q IXFT50N20 IXFT50N30Q3 IXFT50N50P3 IXFT50N60P3 IXFT50N60X IXFT50N85XHV IXFT52N30Q IXFT52N30Q TRL IXFT52N50P2 IXFT58N20 IXFT58N20Q