IX2B112P7

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IX2B112P7 技术参数

IX2A11S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX2A11S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:-10 V ~ 25 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，4A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:-，8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:23ns，14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:14-SOIC 标准包装:50 IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS IX3180GSTR IX40G-A-10S-CV(7.0) IX4340NE IX4423MTR IX4423N