IR21366STRPBF.

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IR21366STRPBF.
北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市百域芯科技有限公司
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IR21366STRPBF. 技术参数

IR21366SPBF 功能描述:IC DVR 3PHASE SOFT TURN 28-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IR21365STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR21365SPBF 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR21365JTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR21365JPBF 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2136S IR2136SPBF IR2136STR IR2136STRPBF IR2137J IR2137Q IR21381QPBF IR2138QPBF IR2151 IR2151PBF IR2151S IR2151SPBF IR2151STR IR2152 IR2152S IR2152STR IR2153 IR21531