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GT2P-201G

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    GT2P-201G

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

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  • GT2P-201G
    GT2P-201G

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

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  • N/A

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GT2P-201G 技术参数
  • GT28F320C3TA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3TA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 GT28F320C3BA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3BA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 GT28F320C3BA100 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) GT3 FLUORESCENT PNK 72MMX50M GT3 FLUORESCENT YLW 72MMX50M GT3 GREY 72MMX50M GT3 GRN 72MMX50M GT3 OLIVE DRAB 72MMX50M GT3 PURPLE 72MMX50M GT3 RED 72MMX50M GT3 TAN 72MMX50M GT3 TEAL 72MMX50M GT3 WHT 72MMX50M GT3 YLW 72MMX50M GT30-100-100-0.23 GT30-100-100-0.23-0 GT30-300-300-0.23-0 GT303J1K GT30S-150-150-0.23-0 GT30S-320-320-0.23-0 GT30S-640-320-0.23-0
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