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GIC1000-592-TQ-032

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GIC1000-592-TQ-032 技术参数

GI818 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:750ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:4,000 GHXS060A120S-D4 功能描述:DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHXS060A120S-D3 功能描述:MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHXS050A060S-D4 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHXS050A060S-D3 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GIL-2000-2025 GJ026-6P6C12 GJ11M GJ12M GJ6120UH GJ6144UH GJ6168UH GJ6192UH GJ6216UH GJ6240UH GJ6264UH GJ6288UH GJ672UH GJ696UH GJ821BR71H105KA12L GJ831CR61E106KE83L GJ831CR71H475KA12L GJ832ER7YA106KA12L