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GA1A1S201WP

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-621049316210489162104578

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Sharp Microelectronics

  • 标准封装

  • 16+

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

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    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 566

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  • 标准封装

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  • 功能描述
  • 环境光传感器 Amb. Light Logrithmic Output
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 工作电源电压
  • 峰值波长
  • 570 nm
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 最小工作温度
  • - 40 C
  • 封装 / 箱体
  • T-1
  • 封装
  • Bulk
GA1A1S201WP 技术参数
  • GA16JT17-247 功能描述:TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管,常闭 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1700V(1.7kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc)(90°C) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 16A 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:282W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AB 标准包装:30 GA15IDDJT22-FR4 功能描述:- Power Management, Gate Driver Evaluation Board 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效 主要用途:电源管理,栅极驱动器 嵌入式:- 使用的 IC/零件:- 主要属性:隔离 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:100 GA-14 功能描述:1700pF 10000V(10kV) 陶瓷电容器 Z5T 按钮 1.575" 直径 x 0.630" 长(40.00mm x 16.00mm) 制造商:tdk corporation 系列:GA 包装:散装 零件状态:有效 电容:1700pF 容差:±10% 电压 - 额定:10000V(10kV) 温度系数:Z5T 安装类型:需要支座 工作温度:10°C ~ 85°C 应用:通用 等级:- 封装/外壳:按钮 大小/尺寸:1.575" 直径 x 0.630" 长(40.00mm x 16.00mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):- 引线间距:- 特性:高电压,低耗散因子 引线形式:- 标准包装:50 GA10SICP12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管,常闭 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 10A 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1403pF @ 800V 功率 - 最大值:170W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 GA10SICP12-247 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效 类型:- 配置:- 电流:10A 电压:1200V 电压 - 隔离:- 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 GA2.2K3A1IA GA2.2K3D210 GA200-001PD GA200-005WD GA200-010WD GA200-015WD GA200SA60S GA200SA60U GA20JT12-247 GA20JT12-263 GA20SICP12-247 GA20SICP12-263 GA242QR7E2102MW01L GA242QR7E2471MW01L GA243DR7E2472MW01L GA243DR7E2473MW01L GA243QR7E2103MW01L GA243QR7E2222MW01L
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