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GA1A1S100WP

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  • GA1A1S100WP
    GA1A1S100WP

    GA1A1S100WP

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 9880

  • SHARP

  • SMD

  • -

  • 原装现货/特价

  • GA1A1S100WP
    GA1A1S100WP

    GA1A1S100WP

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • SHARP原装

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号.原装特价现货！

  • GA1A1S100WP
    GA1A1S100WP

    GA1A1S100WP

  • 深圳市煌盛达科技有限公司
    深圳市煌盛达科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13823538694

    地址：平湖华南城华利嘉

    资质：营业执照

  • 12000

  • SHARP

  • 原厂原封装

  • 20+

  • -

  • 原装库存，全新进口，可电13689551...

  • GA1A1S100WP
    GA1A1S100WP

    GA1A1S100WP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 5000

  • Sharp Microelectronics

  • 标准封装

  • 16+

  • -

  • 假一罚十 百分百原装正品

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  • 1
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  • 制造商
  • SHARP
  • 功能描述
  • OPTICAL LIGHT DETECTOR
  • 制造商
  • Sharp Microelectronics Corporation
  • 功能描述
  • OPTICAL LIGHT DETECTOR
  • 制造商
  • Sharp Microelectronics Corporation
  • 功能描述
  • OPTICAL LIGHT DETECTOR; Output Current
  • 制造商
  • Sharp Microelectronics Corporation
  • 功能描述
  • Ambient Light Sensor 555nm 1420uA
GA1A1S100WP 技术参数
  • GA16JT17-247 功能描述:TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）（90°C） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 16A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:282W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AB 标准包装:30 GA15IDDJT22-FR4 功能描述:- Power Management, Gate Driver Evaluation Board 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效 主要用途:电源管理，栅极驱动器 嵌入式:- 使用的 IC/零件:- 主要属性:隔离 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:100 GA-14 功能描述:1700pF 10000V（10kV） 陶瓷电容器 Z5T 按钮 1.575" 直径 x 0.630" 长（40.00mm x 16.00mm） 制造商:tdk corporation 系列:GA 包装:散装 零件状态:有效 电容:1700pF 容差:±10% 电压 - 额定:10000V（10kV） 温度系数:Z5T 安装类型:需要支座 工作温度:10°C ~ 85°C 应用:通用 等级:- 封装/外壳:按钮 大小/尺寸:1.575" 直径 x 0.630" 长（40.00mm x 16.00mm） 高度 - 安装（最大值）:- 厚度（最大值）:- 引线间距:- 特性:高电压，低耗散因子 引线形式:- 标准包装:50 GA10SICP12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 10A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1403pF @ 800V 功率 - 最大值:170W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead） 标准包装:50 GA10SICP12-247 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效 类型:- 配置:- 电流:10A 电压:1200V 电压 - 隔离:- 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 GA2.2K3A1A GA2.2K3A1IA GA2.2K3D210 GA200-001PD GA200-005WD GA200-010WD GA200-015WD GA200SA60S GA200SA60U GA20JT12-247 GA20JT12-263 GA20SICP12-247 GA20SICP12-263 GA242QR7E2102MW01L GA242QR7E2471MW01L GA243DR7E2472MW01L GA243DR7E2473MW01L GA243QR7E2103MW01L
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