FDC636P/63

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

FDC636P/636
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
FAI
SOT-163
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： FDC637AN FDC637BNZ FDC638APZ FDC638P FDC6392S FDC6401N FDC640P FDC640P_F095 FDC6420C

FDC636P/63 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FDC636P/63 技术参数

FDC6332L 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6331L 功能描述:功率驱动器IC Integ. Load Switch RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6330L 功能描述:功率驱动器IC 20V 80mOhm P-CHANNEL RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6329L 功能描述:电源开关 IC - 配电 SSOT-6 LOAD SW 8V RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 FDC6326L 功能描述:功率驱动器IC SSOT-6 LOAD SW 20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC642P FDC642P_F085 FDC642P-F085 FDC6432SH FDC645N FDC645N_F095 FDC6506P FDC653N FDC654P FDC655AN FDC655BN FDC655BN_NBNN007 FDC6561AN FDC658AP FDC658P FDC6901L FDC697P FDC697P_F077