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F1NEP1TCH

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F1NEP1TCH
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
14562
Standard
SOP48
2024+
-
绝对现货

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1

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F1NEP1TCH 技术参数

F-198U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效类型:叠片核心电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:15.5V，32V 电流 - 输出（最大值）:6A，1A 初级绕组:单一次级绕组:双中心抽头:是功率 - 最大值:122 VA 安装类型:底座安装端子类型:导线引线大小/尺寸:80.95mm 长 x 79.38mm 宽高度 - 安装（最大值）:95.25mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1978NCGK 功能描述:DIGITAL STEP ATTENUATOR 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件状态:在售封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1977NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 5MHz ~ 3GHz 75 Ohm 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:5MHz ~ 3GHz 功率（W）:- 阻抗:75 欧姆封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1977EVS 功能描述:EVALUATION SOLUTION FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效类型:衰减器频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板标准包装:1 F1977EVBI 功能描述:EVAL BOARD FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效类型:衰减器频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板标准包装:1 F1RBXO-6408-10S F1RBXO-9608-10F F1RBXO-9608-10S F1RBZN-1B08-10F F1RBZN-1B08-10S F1RBZN-6408-10F F1RBZN-6408-10S F1RBZN-9608-10F F1RBZN-9608-10S F1RBZO-1B08-10F F1RBZO-1B08-10S F1RBZO-6408-10F F1RBZO-6408-10S F1RBZO-9608-10F F1RBZO-9608-10S F1RCXN-6408-10F F1RCXN-6408-10S F1RCXN-9612-10F