配单专家企业名单

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说明
操作

EPC2L120N
现货
深圳市芯品会科技有限公司
深圳市芯品会科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-8326552818898587338
地址：深圳市福田区华强路宝华大厦A座2028
资质：营业执照
600
ALTERA
PPLC20
1516+
-
★★原盒原装原标签，现货库存商★★

EPC2L120N
现货
深圳市芯品会科技有限公司
深圳市芯品会科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-8326552818898587338
地址：深圳市福田区华强路宝华大厦A座2028
资质：营业执照
600
ALTERA
PPLC20
1516+
-
★★原盒原装原标签，现货库存商★★

EPC2L120N
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
ALTERA
PPLC20
22+
-
全新原装现货供应

EPC2L120N
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ALTERA
PLCC
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

EPC2L120N
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3240
ALTERA
PLCC20
0922+;0
-
原装现货/特价

EPC2L120N
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ALTERA
PLCC
09+环保
-
假一罚十，百分百原装正品

EPC2L120N
深圳市荣泽信电子科技有限公司
深圳市荣泽信电子科技有限公司
联系人：荣泽信－晏S
电话：18028731859
地址：华富村东区417室
10000
ALTERA
N/A
15+
-
全新原装环保货期一天

EPC2L120N
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ALTERA
PLCC
18+
-
原装正品，欢迎订购

EPC2L120N
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ALTERA
PLCC
18+
-
原装正品，欢迎订购

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EPC2L120N 技术参数

EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 33A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100