EPC2010全国供应商【买卖IC网】EPC2010资料|PDF Datasheet|价格 EPC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2010
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
EFFICIENT POWER CONVERSIO
原厂包装
20+
-
现货，期货，原装正品，诚信交易

EPC2010CENGR
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
EFFICIENT POWER CONVERSIO
con
24+
-
电子元件

EPC2010
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

EPC2010CENGR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
EFFICIENT POWER CONVERSIO
con
24+
-
电子元件

EPC2010C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
2452
EPC
LGA
19+
-
瑞智芯只做原装

EPC2010
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
42500
EPC
带卷（TR）
1521+
-
全新原装现货

EPC2010C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
2491
EPC
LGA
19
-
瑞智芯只有原装

EPC2010C
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
47490
EPCC
SMD
2235+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
eGaN®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

EPC2010 技术参数

EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（5 焊条）标准包装:1 EPC2007 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:205pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（5 焊条）标准包装:1 EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（11 焊条）标准包装:1 EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（11 焊条）标准包装:1 EPC1PI8N 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC2015CENGR EPC2016 EPC2016C EPC2018 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024