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EP3SE260F1152I2N

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    EP3SE260F1152I2N

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ALTERA

  • 原厂封装

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  • EP3SE260F1152I2N
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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    联系人:陈小姐

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    地址:门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 500

  • ALTERA

  • BGA

  • 2015+

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EP3SE260F1152I2N 技术参数
  • EP3SE260F1152C4N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix III 10200 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3SE260F1152C3N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix III 10200 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3SE110F780C3N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix III 4300 LABs 488 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3SE110F1152C3N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix III 4300 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3SE110F1152C2N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix III 4300 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3SE80F780C3N EP3SL110F1152C3N EP3SL110F1152C4N EP3SL110F780C3N EP3SL150F1152C2N EP3SL150F1152C3N EP3SL150F1152C4LN EP3SL150F1152C4N EP3SL150F780C2N EP3SL150F780C3N EP3SL150F780C4LN EP3SL150F780C4N EP3SL200F1152C3N EP3SL200F1517C3N EP3SL340F1517C3N EP3SL340F1517C3NES EP3SL340F1760C3N EP3SL340H1152C3N
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